2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

特別シンポジウム

特別シンポジウム » GaNのエピタキシャル成長とデバイス科学

[20p-CE-1~9] GaNのエピタキシャル成長とデバイス科学

2018年9月20日(木) 13:30 〜 17:45 CE (センチュリーホール)

渡部 平司(阪大)、白石 賢二(名大)

16:45 〜 17:15

[20p-CE-8] GaN系パワーデバイス用ゲート絶縁膜技術

渡部 平司1、山田 高寛1、野崎 幹人1、細井 卓治1、志村 考功1 (1.阪大院工)

キーワード:GaN、パワーデバイス、ゲート絶縁膜