[21a-131-1~11] 10.4 半導体スピントロニクス・超伝導・強相関

[21a-131-3] AlN/GaN単一ヘテロ接合の量子ホール効果とゲート制御

〇鈴木 恭一¹、赤坂 哲也² (1.福岡工大、2.NTT物性基礎研)

キーワード：量子ホール効果、ゲート変調、原子層堆積法

AlN/GaNヘテロ接合にゲート絶縁膜を形成し、電子濃度のゲート制御性を量子ホール効果から調べた。0.25 Kから300 Kまでの温度範囲において、広い領域で電子濃度がゲート電圧に比例した。特に、低温強磁場下では量子ホール効果に伴う明瞭なランダウレベル分離を観測した。