[21a-131-1~11] 10.4 Semiconductor spintronics, superconductor, multiferroics

[21a-131-4] Dirac Cone Spin Polarization in Graphene/YIG Heterostructures

〇Seiji Sakai^1,2, Sorokin Pavel^3,1, Zakhar Popov³, Takahiro Watanabe^4,1, Yocihi Yamada⁴, Songtian Li¹, Shiro Entani^1,3, Hiroshi Narmaoto^1,4, Satoshi Haku⁵, Kazuya Ando⁵, Yasushi Yamauchi^2,1 (1.QST, 2.NIMS, 3.MISiS(Russia), 4.Univ. Tsukuba, 5.Keio Univ.)

Keywords:graphene, Dirac cone, Proximity effect

近年、スピントランジスタ等への応用の観点から、磁気近接効果によるグラフェンのスピン分極状態の制御が関心を集めている。本研究では、グラフェンとイットリウム鉄ガーネット(YIG)を積層したヘテロ構造についてスピン偏極ヘリウムビーム(SPMDS)による観察を行い、グラフェンの電子・スピン状態を調査した。グラフェン/YIGヘテロ構造において、グラフェンのディラックコーンは分散が保たれており、顕著な負のスピン分極が生じていることが明らかになった。