[21a-131-1~11] 10.4 半導体スピントロニクス・超伝導・強相関

[21a-131-4] グラフェン/YIGヘテロ構造のディラックコーンスピン分極

〇境 誠司^1,2、Sorokin Pavel^3,1、Zakhar Popov³、渡邉 貴弘^4,1、山田 洋一⁴、李 松田¹、圓谷 志郎^1,3、楢本 洋^1,4、白 怜士⁵、安藤 和也⁵、山内 泰^2,1 (1.量研、2.物材機構、3.科学技術大(ロシア)、4.筑波大’、5.慶應大)

キーワード：グラフェン、ディラックコーン、近接効果

近年、スピントランジスタ等への応用の観点から、磁気近接効果によるグラフェンのスピン分極状態の制御が関心を集めている。本研究では、グラフェンとイットリウム鉄ガーネット(YIG)を積層したヘテロ構造についてスピン偏極ヘリウムビーム(SPMDS)による観察を行い、グラフェンの電子・スピン状態を調査した。グラフェン/YIGヘテロ構造において、グラフェンのディラックコーンは分散が保たれており、顕著な負のスピン分極が生じていることが明らかになった。