[21a-133-1~8] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[21a-133-6] Fabrication of light trapping structure using Ge dot etching mask and a-Si:H passivation : Impact of Ge growth temperature

〇(M2)Yushi Ota¹, Kazuhiro Gotoh¹, Yasuyoshi Kurokawa¹, Noritaka Usami¹, D Yurasov², A Novikov², M Shaleev² (1.Nagoya Univ, 2.IPM RAS)

Keywords:solar cell, light trapping structure, passivation

一般的なシリコン太陽電池の表面は、アルカリエッチングによるピラミッドテクスチャを持つ。しかし作製には基板に大きな削りしろを必要とし、薄型基板への適用が難しい。我々は削りしろの小さい凹凸作製方法として、ガスソースMBEにより成長させたGeドットをマスクとするエッチングを提案し検討してきた。本研究では以前より低い成長温度も含め、Geドットの成長温度を変化させて光閉じ込め構造を作製し、プラズマ化学気相成長法(PECVD)によりa-Si:Hパッシベーションを行い、電気的特性に与える影響を評価した。