[21a-133-1~8] 16.3 シリコン系太陽電池

[21a-133-6] Geドットマスクを用いた光閉じ込め構造の作製とa-Si:Hパッシベーション：Ge成長温度の効果

〇(M2)太田 湧士¹、後藤 和泰¹、黒川 康良¹、宇佐美 徳隆¹、Dmitrij Yurasov²、Alexey Novikov²、Mikhail Shaleev² (1.名大院工、2.ロシア科学アカデミー)

キーワード：太陽電池、光閉じ込め構造、パッシベーション

一般的なシリコン太陽電池の表面は、アルカリエッチングによるピラミッドテクスチャを持つ。しかし作製には基板に大きな削りしろを必要とし、薄型基板への適用が難しい。我々は削りしろの小さい凹凸作製方法として、ガスソースMBEにより成長させたGeドットをマスクとするエッチングを提案し検討してきた。本研究では以前より低い成長温度も含め、Geドットの成長温度を変化させて光閉じ込め構造を作製し、プラズマ化学気相成長法(PECVD)によりa-Si:Hパッシベーションを行い、電気的特性に与える影響を評価した。