[21a-135-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[21a-135-5] GeコアSi量子ドット/Si量子ドット多重集積構造からの電界電子放出

〇(M2)二村 湧斗¹、牧原 克典¹、大田 晃生¹、池田 弥央¹、宮崎 誠一¹ (1.名古屋大院工)

キーワード：Si量子ドット、Geコア、電子放出