[21a-141-1~13] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[21a-141-10] プロトンビーム描画プロセスがSiC pnダイオード中に導入したシリコン空孔の光学特性に与える影響

〇山崎 雄一¹、千葉 陽史^1,2、牧野 高紘¹、佐藤 真一郎¹、山田 尚人¹、佐藤 隆博¹、土方 泰斗²、児嶋 一聡³、Sang-Yun Lee⁴、大島 武¹ (1.量研、2.埼玉大工、3.産総研、4.KIST)

キーワード：SiC、発光中心、光学特性