[21a-141-1~13] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[21a-141-11] プロトンビーム描画を用いてSiCデバイス中に作製したシリコン空孔のODMR測定

〇(M1)千葉 陽史^1,2、山崎 雄一²、牧野 高紘²、佐藤 真一郎²、山田 尚人²、佐藤 隆博²、児島 一聡³、土方 泰斗¹、大島 武² (1.埼玉大院、2.量研機構、3.産総研)

キーワード：単一光子源、点欠陥、光検出磁気共鳴