[21a-141-1~13] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[21a-141-3] 4H-SiC中積層欠陥収縮速度の熱処理温度依存性

〇山下 善文¹、赤木 克行¹、西川 亘¹、羽田 真毅¹、林 靖彦¹ (1.岡山大院自然)

キーワード：4H-SiC、ショックレー型積層欠陥、部分転位運動

SEMを用いた電子線照射により4H-SiC中のショックレー型積層欠陥を拡大させた後，熱処理によりそれを収縮させる実験を行った。収縮速度は急激に遅くなって，あるところで止まってしまう。収縮初期の速度の温度依存性から活性化エネルギーを求めると，0.7 eVであった。これは，30°Si(g)部分転位上のキンク移動の活性化エネルギーが求められたものと考えられる。