[21a-141-1~13] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[21a-141-4] 4H-SiCのSi・C面表面再結合速度 -測定・解析精度向上による再検討-

〇加藤 正史¹、Zhang Xinchi¹、小濱 公洋¹、市村 正也¹ (1.名工大)

キーワード：SiC、キャリアライフタイム、表面再結合速度

半導体のキャリアライフタイムを正確に見積もり、バイポーラデバイスの設計に活かすためには、表面再結合速度Sの正確な値は欠かせない。我々は4H-SiCのSを評価してきており、n型4H-SiCのSi面およびC面における値を公表してきた。しかしながら、従来の測定・解析において、不正確さを導く因子が存在し、Sを過大評価していた。本発表では、正確な測定・解析を行う上で課題であった点を紹介し、課題の改善によって得られたSにより従来値を訂正する。