[21a-141-1~13] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[21a-141-7] p型4H-SiC エピタキシャル層のVドーピングによる少数キャリア寿命制御

〇村田 晃一¹、俵 武志^2,3、楊 安麗¹、宮澤 哲哉¹、土田 秀一¹ (1.電中研、2.産総研、3.富士電機)

キーワード：シリコンカーバイド、エピタキシャル成長、ドーピング

4H-SiCバイポーラデバイスの通電劣化対策として、短い少数キャリア寿命を有するバッファ層(再結合促進層)の適用を検討してきた。n型層(Nドープ層)の少数キャリア寿命制御においては、Vドーピングが有効であることを報告している。本発表では、Al/Vドープp型層を成長し、深い準位および少数キャリア寿命の評価を行った結果について報告する。