[21a-141-1~13] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[21a-141-9] 4H-SiC p-n接合ダイオードにおける
Franz-Keldysh効果に起因したフォノンアシスト光吸収

〇前田 拓也¹、遅 熙倫¹、堀田 昌宏¹、須田 淳^1,2、木本 恒暢¹ (1.京大院工、2.名大院工)

キーワード：Franz-Keldysh効果、SiC、光電流

半導体に高電界を印加すると，電子・正孔の波動関数が禁制帯中に浸み出し，その浸み出した状態間でサブバンドギャップの光吸収が生じるようになる．これは，Franz-Keldysh効果として知られている．SiCは間接遷移型半導体であるため，価電子帯の電子が光を吸収する際にフォノンの吸収/放出を介して間接遷移するフォノンアシスト光吸収が生じる．間接遷移は直接遷移に比べて遷移確率が小さい．本研究では，サブバンドギャップ光照射下における4H-SiC PNダイオードの光電流の逆バイアス電圧依存性を調べることで，Franz-Keldysh効果による光吸収を調べたので報告する．