[21a-143-1~11] 【CS.6】 3.11 フォトニック構造・現象, 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイスのコードシェアセッション

[21a-143-5] 半導体ー金属ナノ粒子における発光増強及び消光の制御II

〇楢崎 友城¹、金 大貴¹ (1.大阪市大院工)

キーワード：局在表面プラズモン、半導体ナノ粒子、layer-by-layer法

半導体ナノ粒子と金属ナノ粒子の相互作用を調べるためにCdSeナノ粒子とAuナノ粒子の積層構造をlayer-by-layer法で作製した。Auナノ粒子層におけるAuナノ粒子の面内密度に依存して、CdSeナノ粒子の発光強度が大きく変化する結果が得られた。局在表面プラズモンによる発光増強とCdSeナノ粒子からAuナノ粒子へのエネルギー移動による発光消光のAuナノ粒子の面内密度依存性を定量的に議論する。