[21a-145-1~9] 13.3 絶縁膜技術

[21a-145-1] Siピラー酸化におけるSiミッシングに関する理論検討

〇影島 博之^1,4、白石 賢二^2,4、遠藤 哲郎^3,4 (1.島根大、2.名古屋大、3.東北大、4.JST-ACCEL)

キーワード：シリコン酸化過程、理論検討、柱状シリコン

縦型BC-MOSFETは次世代デバイスとして大変有望である。しかし、ゲート酸化膜形成のために縦型Siピラーを不用意に熱酸化するとSiが失われるSiミッシングが発生してしまい、デバイス構造作成の障害となることがわかっている。そこで、Siミッシングの起源について、理論検討を行った。Siミッシングを説明しうる機構としては、(I) SiO蒸発機構、(II) I_Si拡散機構、(III) I_SiO拡散機構、(IV) 酸化膜粘性流動機構、の4つの機構が考え得るが、(IV)の酸化膜粘性流動機構が現在の所最も有力と考えられる。