[21a-145-1~9] 13.3 Insulator technology

[21a-145-4] SiO₂ film deposition by low temperature ALD using SiBr₄

〇Akihito Imase¹, Shigeki Matsumoto¹, Yonghua Xu¹, Masahito Shibata¹ (1.Tri Chemical Laboratories Inc.)

Keywords:silicon dioxide, Atomic Layer Deposition, silicon tetrabromide

SiO₂の低温ALD成膜技術に関して、SiCl₄とH₂Oならびにアンモニアなどの塩基性触媒を利用したCatalyzed SiO₂ ALDが知られているが、成膜温度を90℃ 以上にすると成膜速度が著しく低下する問題があった。本報告ではSi原料にSiCl₄よりも蒸気圧の低いSiBr₄を用い、塩基性触媒としてPyridine を選択する事で成膜温度の高温化（～130℃）を実現し、その成膜特性を調べ、得られたSiO₂膜のキャラクタリゼーションを行った。