[21a-145-1~9] 13.3 絶縁膜技術

[21a-145-4] SiBr₄を用いた低温ALDによるSiO₂成膜

〇今瀬 章公¹、松本 茂樹¹、徐 永華¹、柴田 雅仁¹ (1.トリケミカル研究所)

キーワード：SiO2、ALD、SiBr4

SiO₂の低温ALD成膜技術に関して、SiCl₄とH₂Oならびにアンモニアなどの塩基性触媒を利用したCatalyzed SiO₂ ALDが知られているが、成膜温度を90℃ 以上にすると成膜速度が著しく低下する問題があった。本報告ではSi原料にSiCl₄よりも蒸気圧の低いSiBr₄を用い、塩基性触媒としてPyridine を選択する事で成膜温度の高温化（～130℃）を実現し、その成膜特性を調べ、得られたSiO₂膜のキャラクタリゼーションを行った。