[21a-221A-1~8] 9.3 Nanoelectronics

△ [21a-221A-6] Evaluation of Single-Electron Transistor Characteristics of Fe-MgF₂ Single-Layer Granular Thin Films

〇Yuki Asai¹, Takayuki Gyakushi¹, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi¹, Masashi Arita¹, Yasuo Takahashi¹ (1.Hokkaido Univ.)

Keywords:Single-electron transistor, Granular thin film

単電子トランジスタ(SET)は、優れた消電力性と微細な構造から将来の集積デバイスとして応用が期待されている。SETの単電子島を作製する方法としてグラニュラー薄膜を利用する手法がある。本研究では、異なるFe膜厚を有する単層Fe-MgF2グラニュラー薄膜を用いて作製したSETの特性評価を通じて、Feナノドットの分散状況がSET特性に及ぼす影響について評価した。