[21a-222-1~11] 6.3 Oxide electronics

△ [21a-222-1] Characteristics of WO3 films fabricated on a glass substrate by a chemical solution pyrolysis

〇Satoshi Murakami¹, Mayuko Koyama¹, Yoshiyuki Harada¹, Kazuto Koike¹, Mitsuaki Yano¹ (1.Osaka Inst. of Tech.)

Keywords:WO3, chemical solution pyrolysis, oxide semiconductor

三酸化タングステン（WO3）は古くから触媒やエレクトロクロミック材料として知られているワイドギャップ酸化物半導体である．これまで我々は，分子線エピタキシー（MBE）法でr面サファイア基板上にc軸配向したmonoclinic構造のWO3エピタキシャル膜を作製し，そのプロトネーション／デプロトネーション効果を調べてきた．本研究では，非真空で薄膜を合成できる溶液塗布法に注目し，WO3薄膜の作製を試みた結果について報告する．