2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[21a-222-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2018年9月21日(金) 09:00 〜 12:00 222 (222)

奥村 英之(京大)、坂間 弘(上智大)

11:30 〜 11:45

[21a-222-10] 金属ターゲットから作製したSn-Oスパッタ膜の特性

山田 拓哉1、彦坂 透磨1、高柳 真司1、本田 光裕1、市川 洋1 (1.名工大院)

キーワード:酸化スズ、スパッタ成膜、半導体薄膜