[21a-231C-1~11] 12.2 評価・基礎物性

[21a-231C-10] 電解質ゲート下での導電性高分子の金属絶縁体転移近傍での伝導機構

〇伊東 裕¹、馬田 裕章¹、田中 久暁¹、黒田 新一²、竹延 大志¹ (1.名大院工、2.豊田理研)

キーワード：導電性高分子、金属絶縁体転移、電解質ゲート

導電性高分子PBTTTの高濃度キャリアドープ下での電気伝導機構を、イオンゲルゲート下での磁気抵抗により調べた。最大ドープ量で95K以上の温度で金属的な電気伝導が観測され、磁気抵抗でも確認された。また、絶縁体側の可変領域ホッピング(VRH)域では、コヒーレント伝導を示す負磁気抵抗とホッピング伝導の正磁気抵抗が混在して現れ、両伝導機構の混在が見かけ上のVRHの次数変化の原因であることが示唆される。