[21a-232-1~12] 6.2 カーボン系薄膜

[21a-232-3] n-i-n積層構造におけるダイヤモンドNV中心の電荷状態

〇清水 麻希¹、牧野 俊晴²、加藤 宙光²、藤原 正規³、岩崎 孝之⁴、山崎 聡²、水落 憲和³、波多野 睦子⁴ (1.東理大理、2.産総研、3.京大、4.東工大)

キーワード：ダイヤモンド、接合、NVセンタ

NVセンタには応用上重要なNV^-の他に電荷的に中性なNV⁰の状態が存在し，これらの電荷状態間を遷移してしまうため，電荷状態の制御，特にNV^-への安定化が応用に向けての大きな課題となっている．本研究では長いコヒーレンス時間が期待できるi層中のNVの電荷状態安定化のために，ダイヤモンドのn-i(intrinsic)-n接合を作製し，空乏層や中性領域におけるE_Fの変化による電荷状態の空間的な変化を明らかにした．