[21a-233-1~12] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[21a-233-4] シリコン熱光学係数の精密測定による非接触温度測定の高精度化

〇亀田 朝輝¹、花房 宏明¹、東 清一郎¹ (1.広大院先端研)

キーワード：温度測定、熱光学係数、半導体

これまでに我々は,熱プラズマジェット(TPJ)照射によるミリ秒急速熱処理において石英およびシリコンウェハの昇降温特性を非接触測定する技術について報告してきた. 本研究ではシリコンの熱光学係数(Thermo-Optic Coefficient : TOC)を室温から800 K以上まで測定し,光学解析に用いることで温度測定の精度向上を試みた.