2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[21a-233-1~12] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2018年9月21日(金) 09:00 〜 12:00 233 (233)

野口 隆(琉球大)、佐道 泰造(九大)

10:00 〜 10:15

[21a-233-5] GeO2下地層による固相成長Ge薄膜の高移動度化とプラスチック上展開

今城 利文1、茂藤 健太1、吉峯 遼太1、末益 崇1、都甲 薫1 (1.筑波大学)

キーワード:ゲルマニウム、薄膜、固相成長