[21a-234B-1~9] 6.4 Thin films and New materials

[21a-234B-1] Electronic structure calculations of quaternary nitride semiconductor Zn_1-xGe_1-xGa_2xN₂

〇Yuichi Ota¹ (1.TIRI)

Keywords:Nitride semiconductor, Density functional theory, Band calculation

新規四元系窒化物半導体Zn_1-xGe_1-xGa_2xN₂の電子状態計算を行った。混晶における安定なカチオンの配置を決定し、その時のバンドギャップエネルギーを見積もった。