[21a-311-1~14] 17.2 グラフェン

[21a-311-9] h-BN/グラフェン/h-BNにおける不純物C過多領域の影響評価

〇小野寺 桃子¹、渡邊 賢司²、諌山 都子¹、荒井 美穂¹、増渕 覚¹、谷口 尚²、町田 友樹^1,3 (1.東大生産研、2.物材機構、3.CREST-JST)

キーワード：グラフェン、h-BN、二次元

高温高圧合成h-BN結晶の中心部に形成される炭素不純物濃度の高い領域（ドメイン）がグラフェンに及ぼす影響を評価するため、ドメイン境界を跨ぐようにグラフェンを載せたh-BN/グラフェン/h-BN構造を作製した。ドメイン内ではキャリア移動度が低く、ランダウファンダイアグラムの電子ドープ側において特徴的な曲がりが見られた。これらの結果は再現性があり、ドメインがグラフェンの電気伝導特性に影響を及ぼしていることを示している。