[21a-331-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[21a-331-12] AlGaN/GaN 界面準位が分極接合基板上 p-MOSFET の電流特性に与える影響

〇鶴田 脩真¹、星井 拓也¹、中島 昭²、西澤 伸一³、大橋 弘通¹、角嶋 邦之¹、若林 整¹、筒井 一生¹ (1.東工大、2.産総研、3.九州大)

キーワード：GaN p-MOSFET