[21a-CE-1~10] 13.5 デバイス／集積化技術

[21a-CE-2] Trimmed Gate型TFETにおける超急峻スイッチング特性

〇浅井 栄大¹、森 貴洋¹、松川 貴¹、服部 淳一¹、遠藤 和彦¹、福田 浩一¹ (1.産総研)

キーワード：トンネル電界効果トランジスタ、サブスレッショルド 特性

本研究ではTFET のサブスレッショルド(SS) 特性を改善する新しいデバイス構造「Trimmed Gate (TG) 構造」を提案し、TG構造によるSS特性の改善についてTCADシミュレーションにより調べた。