[21a-CE-1~10] 13.5 デバイス／集積化技術

[21a-CE-5] 急峻なSSを持つ P-Channel/N-Channel“PN-Body-Tied SOI FET”での基板バイアスの影響

〇(M1)矢吹 亘¹、井田 次郎¹、森 貴之¹、遠藤 大貴¹、中野 駿一¹ (1.金沢工大工)

キーワード：SOI、基板バイアス、新構造

我々は新構造のPN-Body-Tied構造 (PNBT) を提案し、これまでに1 mV/decを下回る非常に急峻なSSを確認している。本稿では、N-channel PNBT SOI-FET (PNBT NMOS)及びP-channel PNBT SOI-FET (PNBT PMOS)における、基板バイアスが急峻なSSに与える影響に関して報告する。特に、PNBT PMOSでは、負の基板バイアスを印加することで初めて非常に急峻なSSが発生することを確認した。