[21p-133-1~12] 16.3 シリコン系太陽電池

[21p-133-7] 逆バイアスパルス電圧印加による結晶シリコンモジュールの電圧誘起劣化回復試験の最適化

〇高田 清志郎¹、Htay Win¹、Go Sian Huai¹、Aster Rahayu¹、大橋 史隆¹、傍島 靖¹、吉田 弘樹¹、原 由紀子²、増田 淳²、野々村 修一¹ (1.岐大工、2.産総研)

キーワード：結晶系太陽電池、分析・評価、モジュール作製・評価技術，標準化

我々はこれまでに、電圧誘起劣化現象が起きた太陽電池モジュールに対して、 pn 接合に逆バイアスパルス電圧を印加することにより発電特性が回復することを見出した。これらの技術の実用化を目指し、実際の劣化現象により近い状況を再現するため、直列接続された一部のセルが劣化したモジュールに対し、逆バイアスパルス電圧印加による回復試験を応用し、回復条件の最適化を行った。