[21p-146-1~17] 15.4 III-V-group nitride crystals

[21p-146-15] Growth temperature dependence of InGaN electric properties

〇Masahiro Hemmi¹, Naohiro Imai¹, Hiroki Yamaki¹, Kouhei Tsubaki¹, Toshiki Makimoto¹ (1.Waseda Univ.)

Keywords:MBE, InGaN, electric properties

GaNやInNなどの窒化物半導体は直接遷移型のバンドギャップを持ち、ヘテロ構造を利用できることから、様々な光デバイスや高出力デバイスに用いられている。そして、これらの窒化物半導体を低温で成長することができれば、その応用範囲をさらに広げることができる。そこで、本研究では、InGaNにおける電気的特性の成長温度依存性を調べた。