2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.9 テラヘルツ全般

[21p-212A-1~6] 3.9 テラヘルツ全般

2018年9月21日(金) 13:15 〜 14:45 212A (212-1)

坪内 雅明(量研機構)

14:15 〜 14:30

[21p-212A-5] テラヘルツ波誘起伝導度変化測定のためのポンププローブ分光系の開発

加藤 康作1、浅井 洵基1、ファン タン ニャ コア1、吉村 政志1、中嶋 誠1 (1.阪大レーザー研)

キーワード:テラヘルツ、ポンププローブ分光

高強度THz波照射による電気伝導度変化過程を調べるため、THz波ポンプ-THz波プローブ分光系を作製した。ポンプはニオブ酸リチウム結晶をパルス面傾斜法で励起して発生させ、プローブはZnTe結晶から発生させた。多層グラフェンではプローブの波形の振幅がポンプ到達後に減少した。これはTHz波ポンプによって加速されたホットキャリアが衝突電離を起こしてキャリア密度が増加することで電気伝導度が高まったためと考えられる。