[21p-212A-1~6] 3.9 テラヘルツ全般

△ [21p-212A-6] 高強度THz電場パルスによるGe₂Sb₂Te₅の1次元的結晶成長機構の解明

〇(D)佐成 晏之¹、立崎 武弘^2,3、齊藤 雄太⁴、牧野 孝太郎⁴、Fons Paul⁴、Kolobov Alexander V.⁴、富永 淳二⁴、田中 耕一郎^3,5、金光 義彦¹、長谷 宗明⁶、廣理 英基^1,3 (1.京大化研、2.東海大工、3.京大iCeMS、4.産総研ナノエレ、5.京大院理、6.筑波大数物)

キーワード：相変化材料、高強度テラヘルツ分光、非線形伝導

相変化メモリ材料Ge₂Sb₂Te₅において高強度THz光電場による電場方向に沿った1次元的結晶成長が顕微画像における白色光反射率変化から観測された。結晶相においてゼナートンネリングにより電気伝導度が非線形に増加していることが過渡反射率変化から明らかになった。