2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

9 応用物性 » 9.3 ナノエレクトロニクス

[21p-221A-1~6] 9.3 ナノエレクトロニクス

2018年9月21日(金) 13:00 〜 14:30 221A (221-1)

西口 克彦(NTT)

13:00 〜 13:15

[21p-221A-1] レジスト溝内での金ナノ粒子パーコレーション接続を利用した単一電子素子作製方法

松本 和彦1、〇守屋 雅隆1、森林 誠1、谷貝 知起1、島田 宏1、廣瀬 文彦2、平野 愛弓3、水柿 義直1 (1.電通大、2.山形大、3.東北大)

キーワード:ナノスケール素子

レジスト溝内に金ナノ粒子 (Au NP) をほぼ一定間隔で配置する方法と、数百nmのギャップで隔てられた電極間でのAu NPパーコレーション接続を作製する方法、およびAu NPの2段階散布を組み合わせた単一電子素子の作製プロセスを提案する。