[21p-232-1~18] 6.2 Carbon-based thin films

[21p-232-1] Detection of defects inducing large leakage current of diamond diodes

〇(PC)Takehiro Shimaoka¹, Kimiyoshi Ichikawa¹, Kenji Watanabe¹, Satoshi Koizumi¹, Tokuyuki Teraji¹ (1.NIMS)

Keywords:etch pit, Schottky barrier diodes

縦型ダイヤモンドSBDとエッチピットの相関関係を調査した。J-V特性から電流密度が0.1A/cm²以上の漏れ電流の大きなダイオードを抽出した。化学洗浄によるショットキー電極除去後、H₂/O₂プラズマによりエッチピットを形成した。エピ層全域に3－5µm四方の孤立したピットが現れた。漏れ電流の大きいダイオード群では複数のピットが凝集し、線状に伸びた形状(縦10µm×横30 µm)が観察された。