[21p-232-1~18] 6.2 カーボン系薄膜

[21p-232-1] ダイヤモンドダイオードの漏れ電流を誘起する欠陥検出

〇(PC)嶋岡 毅紘¹、市川 公善¹、渡邊 賢司¹、小泉 聡¹、寺地 徳之¹ (1.物材機構)

キーワード：エッチピット、ショットキーバリアダイオード

縦型ダイヤモンドSBDとエッチピットの相関関係を調査した。J-V特性から電流密度が0.1A/cm²以上の漏れ電流の大きなダイオードを抽出した。化学洗浄によるショットキー電極除去後、H₂/O₂プラズマによりエッチピットを形成した。エピ層全域に3－5µm四方の孤立したピットが現れた。漏れ電流の大きいダイオード群では複数のピットが凝集し、線状に伸びた形状(縦10µm×横30 µm)が観察された。