[21p-232-1~18] 6.2 カーボン系薄膜

△ [21p-232-11] オーバーラップゲート構造による高オン電流、低オン抵抗 縦型2DHGダイヤモンドMOSFET

〇(B)西村 隼¹、岩瀧 雅幸¹、大井 信敬¹、堀川 清貴¹、天野 勝太郎¹、蔭浦 泰資¹、稲葉 優文²、平岩 篤^1,2、川原田 洋^1,3 (1.早大理工、2.名大未来研、3.早大材研)

キーワード：ダイヤモンド、縦型、FET

ソース抵抗の低減およびデバイス微細化のためにゲート電極にオーバーラップ構造を導入した2次元正孔ガス（2DEG）をキャリアとする縦型ダイヤモンドMOSFETsを作製した。これまでに報告してきた縦型ダイヤモンドMOSFETsと比較し、デバイス面積を微細化することに成功し、ドレイン電流密度・オン抵抗特性の大幅な向上を確認した。