2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜

[21p-232-1~18] 6.2 カーボン系薄膜

2018年9月21日(金) 13:15 〜 18:00 232 (232)

徳田 規夫(金沢大)、鈴木 真理子(コーンズテクノロジー)、竹内 大輔(産総研)、宮崎 久生(東芝)

16:30 〜 16:45

[21p-232-13] ダイヤモンド電解質溶液ゲートFETのスイッチング特性およびその参照電極-チャネル間距離依存性

〇(B)蓼沼 佳斗1、井山 裕太郎1、梶家 美貴1、ファリナ シャイリ1、シャムスル モフド1、張 育豪1、新谷 幸弘1、川原田 洋1,2 (1.早大理工、2.早大材研)

キーワード:ダイヤモンド、スイッチング特性、FET

ダイヤモンドが広い電位窓を有することから電解質溶液内にてゲート絶縁膜なしで動作する、ダイヤモンド電解質溶液ゲートFETs(SGFETs)の電気特性について報告してきた。本研究では、スイッチング特性と、またその特性の参照電極-チャネル間距離の依存性を評価した。SGFETは、距離0.01m、5mどちらも100kHzのパルス入力に対し反転応答し、また距離に依らず同程度の飽和電流を得られることがわかった。