[21p-232-1~18] 6.2 Carbon-based thin films

[21p-232-4] Evaluation and improvement of stability on Schottky barrier height
of Au/diamond contact

〇(PC)Kimiyoshi Ichikawa¹, Takehiro Shimaoka¹, Satoshi Koizumi¹, Tokuyuki Teraji¹ (1.NIMS)

Keywords:Diamond film, Schottky diode, Interface

ダイヤモンドを用いたショットキーバリヤダイオード (SBD) は、ショットキー界面形成前の表面終端に特性が左右されるため、電極形成前の表面処理プロセスが重要である。我々はこれまで、真空紫外/ オゾン(VUV/O₃)処理により面内で均一な酸素終端表面を形成することで、Au電極で約2.5eVのショットキー障壁(f_b)を得ている。Au電極のアニール処理によりf_bの減少が報告されているが、横型構造で寄生抵抗が高いため理想因子の正確な評価が難しい。本研究では、寄生抵抗が比較的小さい擬似縦構造のAu/ダイヤモンドSBDを作製し、界面形成後のアニールなどの外部刺激や外部環境がダイオード特性に及ぼす影響を調べた。