[21p-232-1~18] 6.2 Carbon-based thin films

△ [21p-232-7] Electron spin resonance study on interface defects
at Diamond/Al₂O₃

〇(DC)Chikara Shinei¹, Soramitsu Kato², Toshiharu Makino², Satoshi Yamasaki², Takahide Umeda¹ (1.Tsukuba Univ., 2.AIST)

Keywords:diamond, interface defect, MOSFET

スマートグリッド社会の実現に向けて、バリガ指数でSiCやGaNを凌駕するダイヤモンドを用いた反転層型MOSFETの研究開発が進められている。(111)面リンドープn型ダイヤモンド上に形成したAl₂O₃ゲート絶縁膜構造で動作実証に至ったが、現状では多くの界面欠陥の存在が示唆されている。本研究ではダイヤモンド/絶縁膜の界面欠陥を電子スピン共鳴分光法を用いて検出した。発表では界面欠陥ESR信号の詳細な解析結果や起源の議論を行う予定である。