2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[21p-233-1~14] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2018年9月21日(金) 13:00 〜 16:45 233 (233)

角嶋 邦之(東工大)、呉 研(日大)

15:30 〜 15:45

[21p-233-10] 厚型ハーフインチウェを用いたマクロニドルアレイの試作

クンプアン ソマワン1,2、根本 一正1,2、田中 宏幸1,2、原 史朗1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ推進機構)

キーワード:マイクロニードル、ミニマルファブ

本研究では、610µmの厚型ハーフインチウェハを用いて、Φ200µm及び400µm長さのニードルを試作した。標準仕様とは異なる厚型ウェハをミニマルファブ製造ラインに適用するために、各ミニマル装置の改良とプロセス開発も併せて行っており、これについても、ニードルの試作実験と共に報告する。