[21p-331-1~8] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[21p-331-1] NiO/β-Ga₂O₃ヘテロ接合ダイオードのスイッチング応答の温度依存性

〇中込 真二¹、菊地 賢太郎¹、矢野 浩司²、國分 義弘¹ (1.石巻専修大理工、2.山梨大工)

キーワード：酸化ガリウム、スイッチング、高温

本研究では, NiO/β-Ga₂O₃間のpnヘテロ接合ダイオードのスイッチング特性に着目し, 高温状態における振る舞いについて実験的に検討した。室温から500℃までの範囲で電流-電圧特性と 過渡的応答波形を測定した。500℃の高温においても良好なスイッチングが可能であること, 温度の上昇に伴って逆方向スイッチング損失が増加することが示された。