[21p-CE-1~5] IoTに資する高周波デバイスにおける機能性酸化物の役割

[21p-CE-4] 高周波デバイス応用に向けた酸化ガリウムトランジスタ開発

〇東脇 正高¹、ワン マンホイ¹、武山 昭憲²、牧野 高紘²、大島 武²、佐々木 公平³、倉又 朗人³、山腰 茂伸³ (1.情通機構、2.量研、3.タムラ製作所)

キーワード：酸化ガリウム

本講演では、Ga₂O₃の物性、材料的特徴について述べた後、パワーデバイスのみならず、Ga₂O₃トランジスタに適すると我々が考える高周波、極限環境（高温、放射線下など）エレクトロニクスといった応用分野について解説する。その後、現在までに我々のグループで開発した、横型Ga₂O₃ MOSFETのDCデバイス特性、高周波デバイス特性、放射線耐性等について発表する。