2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

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13 半導体 » 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[21p-PB4-1~8] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

2018年9月21日(金) 13:30 〜 15:30 PB (白鳥ホール)

13:30 〜 15:30

[21p-PB4-3] Si/CaF2二重障壁共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性

廣瀬 皓大1、福山 聡史1、熊谷 佳郎1、利根川 啓希1、渡辺 正裕1 (1.東工大工学院)

キーワード:半導体、共鳴トンネルダイオード