[21p-PB5-1~3] 15.1 バルク結晶成長

[21p-PB5-1] ヨウ化銅バルク単結晶の育成と物性評価

〇(DC)小安 智士¹、Baniecki Jhon²、梅澤 直人^3,4、山口 晃¹、宮内 雅浩¹ (1.東工大、2.富士通、3.NIMS、4.Samsung)

キーワード：単結晶、半導体、ヨウ化銅

近年、ヨウ化銅（CuI）の電子デバイスへの応用が盛んに研究され、特に、有機鉛ヨウ化物ペロブスカイト太陽電池の正孔輸送層として利用され、高い変換効率が得られている。 異種の半導体材料を接合するうえで半導体の価電子帯や伝導帯の位置、フェルミ準位などはデバイスの特性に大きな影響を与えるため、これらの物性を正確に把握することが極めて重要である。本研究ではCuIの単結晶を育成し、デバイスの構築に必要な電子物性の測定を行った。