[21p-PB5-1~3] 15.1 バルク結晶成長

[21p-PB5-3] 三次元マイクロ引き下げ法の開発とスプリング形状サファイア単結晶の作製

〇横田 有為¹、高杉 樹²、大橋 雄二^1,3、井上 憲司³、吉野 将生²、山路 晃広²、黒澤 俊介^1,4、鎌田 圭^1,5、吉川 彰^1,2,5 (1.東北大NICHe、2.東北大金研、3.Piezo Stuido、4.山形大理、5.C&A)

キーワード：マイクロ引き下げ法

マイクロ引き下げ法は、坩堝内部の溶融原料を坩堝底部の穴から引き下げることで単結晶を育成する手法であり、坩堝底部の形状によって作製する単結晶の断面形状を制御できることから、ファイバー形状や板状などの二次元的に形状制御した単結晶の育成が行われてきた。しかし、従来法では二次元的な形状制御に留まっており、さらに複雑な形状制御結晶育成を実現するためには三次元的な制御が必要となる。そこで今回は、結晶成長中の断面形状だけではなく、三次元的に単結晶の形状を制御可能な三次元マイクロ引き下げ法を開発し、スプリング形状サファイア単結晶を作製することでその実証を行った。