[21p-PB6-1~10] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[21p-PB6-2] 第一原理計算によるa-, m-面上の4H-SiC/SiO2 界面モデル構造の構築

金子 智昭¹、田島 暢夫¹、山崎 隆浩¹、〇奈良 純¹、清水 達雄²、加藤 弘一³、大野 隆央¹ (1.物材機構、2.東芝R&D、3.東大生研)

キーワード：SiC、酸化膜、シミュレーション

ワイドギャップ半導体のSiC は高い移動度などの優れた特性を示すことより、パワーデバイスへの応用が期待されている。近年、a-面（11-20）やm-面（1-100）の利用が検討され、活発に実験が行われているが、これまでa-面やm-面についての理論計算による解析はほとんど行われていない。そこで、第一原理計算によりa-面、m-面での4HSiC/SiO2 界面モデル構造の作成を試みた。