11:45 〜 12:00 [19a-D103-11] 4H-SiCトレンチ埋込成長のトポグラフィー・シミュレーション 〇望月 和浩1、紀 世陽1、小杉 亮治1、米澤 喜幸1、奥村 元1 (1.産総研)