13:45 〜 14:00 [17p-E202-3] GaN系可視光レーザーのクラッド層に向けたAlInN厚膜のMOCVD成長 〇(B)山中 瑞樹1、三好 実人1、江川 孝志1、竹内 哲也2 (1.名工大、2.名城大)