10:15 〜 10:30 [18a-C302-6] 高い破壊耐量を有する自立GaN基板上p-n接合ダイオード 太田 博1、林 賢太郎1、堀切 文正2、成田 好伸2、吉田 丈洋2、〇三島 友義1 (1.法政大、2.サイオクス)